บทสรุปสั้นๆ
โดยมีขนาดอนุภาคเฉลี่ยเท่ากันด50=10 ไมโครเมตรความแตกต่างระหว่างSiC 88% และ SiC 90%อาจมีผลกระทบต่อการถ่ายเทความร้อนในระบบระบายความร้อน LED ความบริสุทธิ์ที่สูงขึ้นหมายถึงสิ่งเจือปนที่น้อยลง ดังนั้นจึงมีศูนย์กระจายโฟนอนและอุปสรรคด้านความร้อนภายในวัสดุคอมโพสิตน้อยลง
สำหรับการใช้งานที่ต้องการการกระจายความร้อนที่เสถียร - เช่นไฟหน้า LED สำหรับยานยนต์ โมดูล LED กำลังสูง- ไฟถนน โปรเจ็กเตอร์ และคอมโพสิตเมทริกซ์โลหะ AlSiC/CuSiC- โดยทั่วไปแล้ว SiC 90% เป็นตัวเลือกที่ต้องการ สิ่งอื่นๆ ทั้งหมดเท่าเทียมกัน
อย่างไรก็ตาม ส่วนต่าง 2 เปอร์เซ็นต์ไม่สามารถถือเป็นการรับประกันสากลเกี่ยวกับการเพิ่มขึ้นของการนำความร้อนได้ ผลลัพธ์ที่แท้จริงไม่เพียงแต่ขึ้นอยู่กับเนื้อหา SiC เท่านั้น แต่ยังขึ้นอยู่กับเนื้อหาด้วยแกรนูโลเมทรี รูปร่างอนุภาค ประเภทเมทริกซ์ ปริมาณสารยึดเกาะ คุณภาพส่วนต่อประสาน เทคโนโลยีการผสม การอัด และการเผาผนึกตลอดจนสภาพการทำงาน
เหตุใดการนำความร้อนจึงมีความสำคัญสำหรับ LED
LED แปลงพลังงานไฟฟ้าเป็นแสงและความร้อน ความร้อนส่วนสำคัญเกิดขึ้นในพื้นที่การเปลี่ยนแปลง-n-ดังนั้นประสิทธิภาพการกระจายความร้อนจึงเกี่ยวข้องโดยตรงกับอุณหภูมิการทำงานของ LED
หากการระบายความร้อนไม่มีประสิทธิภาพเพียงพอ อาจเกิดสิ่งต่อไปนี้:
- การเพิ่มอุณหภูมิของทางแยก -n-;
- ประสิทธิภาพการส่องสว่างลดลง
- เร่งอายุของสารเรืองแสง
- การเปลี่ยนแปลงลักษณะทางแสง
- ความเครียดจากความร้อนเพิ่มขึ้น
- ลดอายุการออกแบบของโมดูล LED
ดังนั้นเมื่อพัฒนาวัสดุนำความร้อนสำหรับ LED จึงให้ความสนใจอย่างมากกับวัสดุที่มีค่าการนำความร้อนสูง
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)ใช้ในองค์ประกอบการนำความร้อนต่างๆ เนื่องจากมีการนำความร้อนสูง ความคงตัวทางความร้อน และความต้านทานต่ออุณหภูมิสูง
ค่าการนำความร้อนของ SiC อาจแตกต่างกันอย่างมาก ขึ้นอยู่กับรูปร่างและโครงสร้างของวัสดุ สำหรับ SiC แบบผลึกเดี่ยวและเซรามิก เอกสารอ้างอิงจะให้ค่าตามลำดับ120–270 วัตต์/(ม.เคลวิน)ในขณะที่คอมโพสิตบางชนิดอัลไซซีช่วงปกติอาจจะอยู่ที่ประมาณ170–200 วัตต์/(ม.เคลวิน).
ในกรณีนี้ คุณสมบัติของคอมโพสิตสำเร็จรูปไม่สามารถเทียบได้โดยตรงกับค่าการนำความร้อนของผลึก SiC บริสุทธิ์
1. เหตุใดความบริสุทธิ์ของ SiC จึงส่งผลต่อการนำความร้อน
ความร้อนในโครงสร้างผลึก SiC จะถูกถ่ายโอนผ่านเป็นหลักหน่วยเสียงนั่นคือการสั่นสะเทือนโดยรวมของโครงตาข่ายคริสตัล
ยิ่งข้อบกพร่องทางโครงสร้างและเฟสแปลกปลอมน้อยลงเท่าใด การถ่ายเทความร้อนที่มีประสิทธิภาพก็จะยิ่งมากขึ้นเท่านั้น
ซิลิคอนคาร์ไบด์อุตสาหกรรมอาจมีส่วนประกอบตกค้างต่างๆ:
- SiO₂;
- คาร์บอนอิสระ
- เหล็กออกไซด์
- อลูมิเนียมออกไซด์
- แคลเซียมออกไซด์
- แร่ธาตุอื่น ๆ ที่เหลืออยู่
ดังนั้น ผลิตภัณฑ์สองรายการที่มีขนาดอนุภาคเท่ากันแต่ปริมาณ SiC ต่างกันอาจแสดงพฤติกรรมที่แตกต่างกันในคอมโพสิตที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าได้
กลไกพื้นฐาน - การกระเจิงของโฟนอน
เมื่อพลังงานความร้อนไหลผ่านวัสดุ สิ่งเจือปนและข้อบกพร่องของโครงตาข่ายสามารถกระจายโฟนันส์ได้
ซึ่งจะช่วยลดเส้นทางอิสระของโฟนอนและสามารถลดการนำความร้อนที่มีประสิทธิผลได้
ดังนั้น:
สิ่งเจือปนน้อยลง → อุปสรรคด้านความร้อนที่อาจเกิดขึ้นน้อยลง → การถ่ายเทความร้อนมีประสิทธิภาพมากขึ้น
นั่นคือเหตุผลที่เพิ่มความสะอาดด้วย88% ถึง 90%อาจมีความสำคัญทางเทคโนโลยีในระบบนำความร้อนที่ละเอียดอ่อน
2. SiC 88% และ SiC 90% หมายถึงอะไร
เครื่องหมายซิค 88%หมายความว่าปริมาณซิลิกอนคาร์ไบด์อยู่ที่ประมาณ 88% โดยส่วนที่เหลือเป็นส่วนประกอบที่เกี่ยวข้อง
สำหรับไซซี 90%เนื้อหาของส่วนประกอบหลักสูงกว่า ดังนั้นสัดส่วนของส่วนประกอบที่เหลือจึงต่ำกว่า
ตัวย่อ:
| ตัวบ่งชี้ | ซิค 88% | ไซซี 90% |
|---|---|---|
| เนื้อหาเกี่ยวกับ SiC | มากกว่าหรือเท่ากับ 88% | มากกว่าหรือเท่ากับ 90% |
| เฟสคงเหลือ | ประมาณ 12% | ประมาณ 10% |
| การกระเจิงของโฟนอนที่อาจเกิดขึ้น | สูงกว่า | ด้านล่าง |
| ปริมาณที่เป็นไปได้ของเฟสการนำความร้อนต่ำ | สูงกว่า | ด้านล่าง |
| ความต้านทานความร้อนของอินเทอร์เฟซ | ขึ้นอยู่กับองค์ประกอบและเทคโนโลยี | อาจต่ำกว่า |
| ความเสถียรของคอมโพสิตนำความร้อน | ขึ้นอยู่กับกระบวนการ | มักจะคาดเดาได้ง่ายกว่าเมื่อควบคุมวัตถุดิบ |
| แอปพลิเคชันที่เป็นไปได้ | องค์ประกอบที่ประหยัด | ระบบระบายความร้อนที่มีความต้องการมากขึ้น |
สิ่งสำคัญคือต้องทราบว่าค่าเหล่านี้คือการเปรียบเทียบความบริสุทธิ์เล็กน้อยและไม่ใช่การรับประกันการนำความร้อนของผลิตภัณฑ์สำเร็จรูป
3. เหตุใด SiO₂ จึงมีความสำคัญ
หนึ่งในส่วนประกอบที่สำคัญที่สุดของ SiC อุตสาหกรรมคือซิลิคอนไดออกไซด์ SiO₂.
ค่าการนำความร้อนของ SiO₂ ต่ำกว่าค่าการนำความร้อนของ SiC อย่างมาก ความแตกต่างอาจมีได้หลายครั้งขึ้นอยู่กับรูปร่างอุณหภูมิและโครงสร้างของวัสดุ สำหรับการเปรียบเทียบในทางปฏิบัติ ระบบที่อยู่ระหว่างการพิจารณามักจะใช้เป็นแนวทางที่ SiO₂ นำความร้อนโดยประมาณแย่กว่า SiC 5–10 เท่า.
ดังนั้นการมีเฟสการนำความร้อนต่ำจึงสามารถสร้างพื้นที่ต้านทานต่อการไหลของความร้อนเพิ่มเติมได้
หากใช้อนุภาค SiC เป็นสารตัวเติมในเมทริกซ์โลหะ เช่น ในAlSiC หรือ CuSiCสภาพพื้นผิวของอนุภาคก็มีความสำคัญเช่นกัน
ชั้นสิ่งสกปรกที่มากเกินไปสามารถ:
- ทำให้การสัมผัสระหว่างฟิลเลอร์กับเมทริกซ์โลหะแย่ลง
- เพิ่มความต้านทานความร้อนของพื้นผิว
- มีอิทธิพลต่อการทำให้พื้นผิวเปียก
- เปลี่ยนโครงสร้างส่วนต่อประสานหลังการอบชุบด้วยความร้อน
โดยเป็นส่วนเชื่อมต่อระหว่าง SiC และเมทริกซ์โลหะซึ่งมักจะกลายเป็นหนึ่งในปัจจัยสำคัญที่กำหนดค่าการนำความร้อนที่แท้จริงของคอมโพสิต
4. เหตุใด D50=10 µm จึงมีความสำคัญเช่นกัน
เนื้อหา SiC - ไม่ใช่พารามิเตอร์เดียว
ในคำขอทางเทคนิคด50=10 ไมโครเมตรหมายความว่าขนาดอนุภาคลักษณะเฉพาะโดยเฉลี่ยตามวิธีการตรวจวัดเฉพาะคือประมาณ 10 µm
ขนาดอนุภาคส่งผลต่อ:
- พื้นที่ผิวของฟิลเลอร์
- การกระจายตัวของอนุภาคในเมทริกซ์
- คุณภาพการผสม
- การก่อตัวของกลุ่มก้อน;
- การสัมผัสทางผิวหนัง;
- จำนวนขอบเขตความร้อนที่อาจเกิดขึ้น
ดังนั้นเมื่อเปรียบเทียบแล้วSiC 88% และ SiC 90%มีความจำเป็นต้องรักษาให้มากที่สุด:
- D50;
- การกระจายตัวของอนุภาค
- รูปร่างของอนุภาค
- วิธีการวัดแบบแกรนูโลเมทรี
- พื้นผิวของอนุภาค
- ปริมาณความชื้น
- กระบวนการทางเทคโนโลยีในการผลิตวัสดุคอมโพสิต
- มิฉะนั้นผลการทดลองอาจมีสาเหตุมากกว่าข้อผิดพลาด
5. SiC 88% เทียบกับ 90%: ด้วย D50 เดียวกัน
หากสินค้าสองตัวเหมือนกันด50=10 ไมโครเมตรความแตกต่างของความบริสุทธิ์จะเห็นได้ชัดเจนมากขึ้นจากมุมมองของการควบคุมองค์ประกอบของวัตถุดิบ
ซิค 88%
ข้อดีของ SiC 88% มักจะลดต้นทุนวัตถุดิบ
สำหรับการใช้งานบางประเภทที่ข้อกำหนดการนำความร้อนไม่สูงสุด วัสดุดังกล่าวอาจสมเหตุสมผลในเชิงเศรษฐกิจ
อย่างไรก็ตาม สัดส่วนของส่วนประกอบที่เหลือที่สูงขึ้นอาจหมายถึง:
- เฟสออกไซด์
- คาร์บอนอิสระ
- แร่ธาตุเจือปน
- พื้นที่ที่มีค่าการนำความร้อนต่ำกว่า
ไซซี 90%
SiC 90% มีส่วนประกอบหลักมากกว่าและมีเฟสตกค้างน้อยกว่า
สิ่งนี้อาจช่วยได้:
- ลดจำนวนอุปสรรคด้านความร้อนที่อาจเกิดขึ้น
- การถ่ายเทความร้อนที่เสถียรยิ่งขึ้น
- พฤติกรรมที่คาดเดาได้มากขึ้นของฟิลเลอร์
- ปรับปรุงการควบคุมองค์ประกอบของพรรค
สำหรับ LED กำลังสูงและวัสดุคอมโพสิตนำความร้อนที่อุณหภูมิเป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญไซซี 90%มักจะเป็นแหล่งข้อมูลเชิงตรรกะมากกว่าสำหรับการทดสอบเปรียบเทียบ
6. บทบาทของ SiC ในคอมโพสิต AlSiC และ CuSiC
การใช้งานที่สำคัญอย่างหนึ่งของ SiC ในการจัดการระบายความร้อนคือ - คอมโพสิตเมทริกซ์โลหะ
อัลไซซี
ในคอมโพสิตอัลไซซีอนุภาคซิลิคอนคาร์ไบด์กระจายอยู่ในเมทริกซ์อะลูมิเนียม
วัสดุดังกล่าวถูกใช้เมื่อจำเป็นต้องได้รับพร้อมกัน:
- การกำจัดความร้อนอย่างมีประสิทธิภาพ
- น้ำหนักค่อนข้างต่ำ
- ควบคุมการขยายตัวทางความร้อน
- ความเสถียรของมิติ
- ความแข็งแรงทางกลที่เพียงพอ
สิ่งนี้ทำให้ AlSiC เป็นวัสดุที่น่าสนใจสำหรับบรรจุภัณฑ์ แผ่นระบายความร้อน และส่วนประกอบของระบบอิเล็กทรอนิกส์บางประเภท
CuSiC
CuSiCใช้ทองแดงเป็นเมทริกซ์โลหะ
ทองแดงเองมีค่าการนำความร้อนสูง ดังนั้นจึงสามารถใช้ทองแดงและ SiC ร่วมกันเพื่อสร้างส่วนประกอบทางความร้อนที่มีลักษณะการขยายตัวทางความร้อนและการกระจายความร้อนที่ควบคุมได้
ในทั้งสองกรณี คุณภาพของพื้นผิว SiC และการกระจายตัวของพื้นผิวในเมทริกซ์โลหะมีความสำคัญอย่างยิ่ง
7. ผลกระทบต่ออุณหภูมิของหัวต่อ p-n- LED
สำหรับไฟ LED การประกาศค่าการนำความร้อนสูงของฟิลเลอร์นั้นไม่เพียงพอ
คำถามเชิงปฏิบัติหลักคือการออกแบบขั้นสุดท้ายสามารถขจัดความร้อนออกจากบริเวณจุดเชื่อมต่อ-n-ได้อย่างมีประสิทธิภาพเพียงใด
ห่วงโซ่แบบมีเงื่อนไขมีลักษณะดังนี้:
จุดเชื่อมต่อ LED → วัสดุพิมพ์ → วัสดุนำความร้อน → แผ่นระบายความร้อน → สภาพแวดล้อม
หากความต้านทานต่อการไหลของความร้อนเพิ่มขึ้นที่จุดใดจุดหนึ่ง อุณหภูมิของจุดเชื่อมต่อ -n- อาจเพิ่มขึ้น
ดังนั้นการปรับปรุงคุณภาพของ SiC จึงสมเหตุสมผลเมื่อนำไปสู่ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นวัสดุนำความร้อนสำเร็จรูปและไม่ใช่แค่แป้งดั้งเดิมเท่านั้น
8. ตัวอย่างการทดสอบ: 90% เทียบกับ 88%
วัสดุที่จัดเตรียมไว้สำหรับการวิเคราะห์เป็นตัวอย่างของการทดสอบของผู้ผลิต ซึ่งในนั้นSiC 88% ถูกแทนที่ด้วย SiC 90% ด้วย D50 ประมาณ 10 ไมโครเมตรในคอมโพสิต AlSiC สำหรับตัวกระจายความร้อนของไฟหน้ารถยนต์ LED-
ตามที่ผู้ผลิตได้ผลลัพธ์ดังต่อไปนี้:
- ค่าการนำความร้อนของคอมโพสิตเพิ่มขึ้นประมาณ15%;
- อุณหภูมิของทางแยก -n- ลดลงประมาณ8 องศา;
- อายุการใช้งานโดยประมาณในการทดสอบแบบเร่งเพิ่มขึ้นโดยประมาณ20%.
ตัวชี้วัดเหล่านี้จะต้องได้รับการพิจารณาอย่างแม่นยำว่าข้อมูลการทดสอบของผู้ผลิตและไม่ใช่ผลลัพธ์ที่เป็นสากลสำหรับ AlSiC หรือโมดูล LED ใดๆ-
เมื่อเลือกวัตถุดิบแนะนำให้ทำการทดสอบเปรียบเทียบซ้ำกับสูตรของคุณเอง
9. ปัจจัยใดที่สามารถเปลี่ยนผลลัพธ์ได้?
ไม่สามารถสันนิษฐานได้ว่าการเปลี่ยน SiC 88% ด้วย 90% จะทำให้ค่าการนำความร้อนเพิ่มขึ้นเท่ากันในทุกระบบโดยอัตโนมัติ
ผลลัพธ์สุดท้ายได้รับอิทธิพลจาก:
ขนาดอนุภาค
แม้ว่าจะใช้ D50 ที่ระบุเท่ากัน แต่การกระจายตัวของอนุภาคก็อาจแตกต่างกันไป
การรวมตัว
การสะสมของอนุภาคขนาดเล็กสามารถสร้างความไม่เป็นเนื้อเดียวกันและเพิ่มความต้านทานความร้อนได้
อินเทอร์เฟซ SiC/โลหะ
คุณภาพของการสัมผัสระหว่างฟิลเลอร์และเมทริกซ์มีความสำคัญอย่างยิ่ง
เศษส่วนปริมาตร SiC
การเพิ่มปริมาณสารตัวเติมอาจส่งผลต่อการนำความร้อน ความหนาแน่น ความหนืด และความสามารถในการแปรรูป
เทคโนโลยีการผลิต
การผสม การอัด การแทรกซึม การเผาผนึก และการบำบัดความร้อนสามารถเปลี่ยนโครงสร้างของวัสดุขั้นสุดท้ายได้อย่างมาก
อุณหภูมิในการทำงาน
การนำความร้อนและความเสถียรของอินเทอร์เฟซอาจเปลี่ยนแปลงไปตามอุณหภูมิ
ดังนั้นจึงจำเป็นต้องเปรียบเทียบไม่เพียงแต่ผงเท่านั้น แต่ยังต้องเปรียบเทียบด้วยวัสดุคอมโพสิตสำเร็จรูป.
10. ในกรณีที่เหมาะสมที่จะใช้ SiC 90%
ความบริสุทธิ์ที่สูงขึ้นนั้นน่าสนใจเป็นพิเศษสำหรับการใช้งานที่การควบคุมอุณหภูมิเป็นข้อกำหนดทางเทคนิคที่สำคัญ
ไฟ LED สำหรับยานยนต์-
ไฟหน้าและโมดูล LED กำลังสูงอื่นๆ-ทำงานภายใต้สภาวะโหลดความร้อนสูง
การกระจายความร้อนที่เสถียรช่วยควบคุมอุณหภูมิของชุด LED
ไฟถนน
หลอดไฟ LED- ที่ทรงพลังทำงานเป็นเวลานาน ดังนั้นประสิทธิภาพในการกระจายความร้อนจึงส่งผลต่อความเสถียรในการทำงาน
ไฟสปอร์ตไลท์ LED-
สำหรับโปรเจคเตอร์และระบบไฟส่องสว่างกำลังสูงอื่นๆ อุณหภูมิเป็นปัจจัยด้านความน่าเชื่อถือที่สำคัญ
ตัวเรือนอิเล็กทรอนิกส์และตัวระบายความร้อน
สามารถใช้ AlSiC และ CuSiC ในโครงสร้างที่ต้องการการนำความร้อนร่วมกันและค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนที่ควบคุมได้
11. เมื่อ SiC 88% สามารถพิสูจน์ได้ในเชิงเศรษฐศาสตร์
SiC 90% ไม่ใช่ตัวเลือกที่ดีที่สุดสำหรับทุกโครงการ
หากระบบ:
- ไม่ทำงานที่ภาระความร้อนสูง
- ช่วยให้อุณหภูมิในการทำงานสูงขึ้น
- มีความต้านทานความร้อนอย่างมีนัยสำคัญ
- มีความอ่อนไหวต่อต้นทุนวัตถุดิบ
- ที่ซิค 88%อาจเป็นทางเลือกที่เหมาะสม
ในกรณีนี้ ขอแนะนำให้ทำการทดสอบเปรียบเทียบและประเมินต้นทุนไม่เพียงแต่วัตถุดิบเท่านั้น แต่ยังรวมถึงทั้งระบบด้วย
บางครั้งฟิลเลอร์ที่ถูกกว่าจะประหยัดกว่าหากค่าการนำความร้อนสุดท้ายยังอยู่ภายในข้อกำหนด
12. วิธีเปรียบเทียบ SiC 88% และ SiC 90% ก่อนซื้ออย่างถูกต้อง
ขอแนะนำให้สร้างข้อกำหนดเปรียบเทียบสำหรับผู้ซื้อหรือวิศวกร
คุณต้องร้องขอจากซัพพลายเออร์:
- เนื้อหา SiC;
- D50;
- องค์ประกอบแกรนูเมตริกเต็มรูปแบบ
- เนื้อหา SiO₂;
- ปริมาณคาร์บอนอิสระ
- เนื้อหา Fe₂O₃;
- เนื้อหาAl₂O₃;
- เนื้อหา CaO;
- ความชื้น;
- ความหนาแน่นรวม
- วิธีการวัดขนาดอนุภาค
- COA ต่อชุด.
สิ่งสำคัญอย่างยิ่งคือต้องไม่จำกัดตัวเองอยู่เพียงวลีนั้น"ซิค 90%".
สำหรับการจัดซื้อทางอุตสาหกรรม การวิเคราะห์ทางเคมีที่สมบูรณ์และการวัดเม็ดแบบควบคุมจะมีประโยชน์มากกว่ามาก
13.ข้อแนะนำในการซื้อ
หากวัสดุนี้มีไว้สำหรับคอมโพสิต LED ที่นำความร้อนสูง- ข้อมูลจำเพาะสามารถบันทึกแยกกันได้:
ความบริสุทธิ์ของ SiC:มากกว่าหรือเท่ากับ 90%
D50:10 ไมครอน
การกระจายขนาดอนุภาค:ตามระยะที่ตกลงกันไว้
SiO₂:ตามวงเงินที่ตกลงกันไว้
คาร์บอนอิสระ:ตามวงเงินที่ตกลงกันไว้
ความชื้น:ตามวงเงินที่ตกลงกันไว้
COA:สำหรับแต่ละชุด
สำหรับการผลิตจำนวนมาก เป็นที่พึงปรารถนาที่จะดำเนินการควบคุมตัวบ่งชี้สำคัญหลายประการที่เข้ามา
วิธีนี้จะหลีกเลี่ยงสถานการณ์ที่เกรดที่ระบุยังคงเท่าเดิม แต่พฤติกรรมที่แท้จริงของวัสดุจะแตกต่างกันไปในแต่ละชุด
14. สรุป: SiC 88% หรือ SiC 90%
ถ้าD50 เหมือนกันและเป็น 10 µmจากนั้นความบริสุทธิ์ที่สูงขึ้นของ SiC 90% จะทำให้สัดส่วนของส่วนประกอบตกค้างลดลง
จากมุมมองของการจัดการระบายความร้อน สิ่งนี้อาจหมายถึง:
สิ่งเจือปนน้อยลง → อุปสรรคด้านความร้อนที่อาจเกิดขึ้นน้อยลง → การกระเจิงของโฟนอนน้อยลง → การถ่ายเทความร้อนที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น
ดังนั้นสำหรับผู้ที่รับผิดชอบการจัดการความร้อน LEDการใช้งานโดยเฉพาะในAlSiC และ CuSiC, SiC 90% เป็นตัวเลือกที่ต้องการเพื่อเริ่มการทดสอบคุณสมบัติ
อย่างไรก็ตาม ตัวเลือกสุดท้ายควรขึ้นอยู่กับการทดสอบคอมโพสิตที่เสร็จแล้ว
ไม่สามารถระบุโดยตรงได้ว่า SiC 90% ใด ๆ จะเป็น SiC 88% หรือ 15% 导热率ความแตกต่างที่แท้จริงขึ้นอยู่กับองค์ประกอบทางเคมี ขนาดและการกระจายตัวของอนุภาค ส่วนต่อประสาน และเทคโนโลยีการผลิต
คำถามที่พบบ่อย
1. ไหนดีกว่าสำหรับ LED - SiC 88% หรือ SiC 90%
ด้วย D50 เดียวกันไซซี 90%โดยทั่วไปเป็นตัวเลือกที่ต้องการสำหรับการใช้งานที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าเนื่องจากมีส่วนประกอบตกค้างน้อยกว่า
2. เหตุใดความบริสุทธิ์ของ SiC จึงส่งผลต่อการนำความร้อน
สิ่งเจือปนสามารถกระจายโฟนันและสร้างเฟสการนำความร้อนต่ำ ช่วยเพิ่มความต้านทานต่อการไหลของความร้อน
3. D50=10 µm หมายถึงอะไร
D50 กำหนดลักษณะเฉพาะของขนาดอนุภาคมัธยฐานตามวิธีการวัดที่ใช้ สำหรับการซื้อแบบใดแบบหนึ่ง จะต้องตกลงเรื่องการกระจายอนุภาคทั้งหมดด้วย
4. SiC 90% สามารถรับประกันการลดอุณหภูมิ LED ลง 8 องศาได้หรือไม่
ลำดับที่ มูลค่าประมาณ.8 องศาหมายถึงตัวอย่างการทดสอบที่ระบุโดยผู้ผลิต ไม่ใช่การรับประกันแบบครอบคลุม
5. ค่าการนำความร้อน +15% มาจากไหน?
นี้ผลการทดสอบของผู้ผลิตระบุไว้ในแหล่งข้อมูล สำหรับองค์ประกอบ AlSiC อื่นๆ ผลลัพธ์ที่ได้อาจแตกต่างกัน
6. เหตุใด SiO₂ จึงทำให้ค่าการนำความร้อนลดลง
SiO₂ มีค่าการนำความร้อนต่ำกว่า SiC อย่างมีนัยสำคัญ ดังนั้น การมีอยู่ของมันจึงสามารถสร้างแผงกั้นความร้อนเพิ่มเติมได้
7. SiC 88% เหมาะสำหรับ AlSiC หรือไม่
ได้ ในบางระบบที่เน้นความประหยัด สามารถใช้ SiC 88% ได้ หากค่าการนำความร้อนที่ได้เป็นไปตามข้อกำหนด
8. เหตุใด SiC 90% จึงดีกว่าสำหรับ LED ในรถยนต์
ไฟหน้ารถยนต์ LED-ทำงานภายใต้ภาระความร้อนที่มีนัยสำคัญ ดังนั้นความเสถียรของการถ่ายเทความร้อนจึงมีความสำคัญเพิ่มขึ้น
9. เป็นไปได้หรือไม่ที่จะเปรียบเทียบ SiC 88% และ 90% ตามเนื้อหา SiC เท่านั้น
ไม่ได้ จะต้องนำมาพิจารณาด้วยD50, การกระจายตัวของอนุภาค, SiO₂, คาร์บอนอิสระ, ออกไซด์ของโลหะ, ความชื้นและคุณภาพแบทช์.
10. ขนาดอนุภาคใดที่เหมาะกับ LED- คอมโพสิตที่สุด
ไม่มีขนาดเดียวที่เหมาะกับทุกคน การเปรียบเทียบนี้ถือว่าD50 ประมาณ 10 ไมโครเมตรแต่ขนาดที่เหมาะสมที่สุดนั้นขึ้นอยู่กับสูตรและเทคโนโลยีการผลิตเฉพาะ
11. AlSiC คืออะไร?
AlSiC - เป็นคอมโพสิตเมทริกซ์โลหะซึ่งเมทริกซ์อะลูมิเนียมประกอบด้วยอนุภาค SiC
12. CuSiC คืออะไร?
CuSiC - เป็นคอมโพสิตทองแดงเมทริกซ์/ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ออกแบบมาเพื่อรวมการกระจายความร้อนและประสิทธิภาพเชิงความร้อนที่ควบคุม
13. จำเป็นต้องได้รับ COA สำหรับ SiC แต่ละชุดหรือไม่
สำหรับงานอุตสาหกรรมเป็นที่พึงปรารถนาที่จะได้รับCOA ต่อชุดโดยเฉพาะอย่างยิ่งหากใช้วัสดุในส่วนประกอบทางความร้อนที่สำคัญ
14. SiC ที่บริสุทธิ์กว่าสามารถปรับปรุงอายุการใช้งาน LED ได้หรือไม่
อาจเป็นไปได้ - โดยการกระจายความร้อนที่ดีขึ้นและอุณหภูมิในการทำงานที่ลดลง แต่อายุการใช้งานขึ้นอยู่กับการออกแบบ LED และสภาพการใช้งานทั้งหมด
15. จะตรวจสอบได้อย่างไรว่า SiC 90% ดีกว่า SiC 88% จริงหรือไม่
วิธีที่ดีที่สุด - ในการดำเนินการควบคุมการเปรียบเทียบ A/B-ด้วย D50, สูตร, ปริมาณสารตัวเติม และเทคโนโลยีการผลิตเดียวกัน จากนั้นจึงวัดค่าการนำความร้อนและอุณหภูมิของ LED
บทสรุป
สำหรับการนำซิลิคอนคาร์ไบด์มาใช้ค่ะการจัดการความร้อน LEDความแตกต่างระหว่างความบริสุทธิ์ 88% และ 90%มีพื้นฐานทางกายภาพ แต่ไม่สามารถแยกออกจากพารามิเตอร์อื่นของวัสดุได้
ด้วยเช่นเดียวกันด50=10 ไมโครเมตรSiC 90% มีเฟสตกค้างน้อยลง ซึ่งสามารถลดการกระเจิงของโฟนอนและจำนวนบริเวณการนำความร้อนต่ำ ในวัสดุคอมโพสิตเมทริกซ์โลหะAlSiC/CuSiCสิ่งสำคัญเพิ่มเติมคือคุณภาพของส่วนต่อประสานระหว่าง SiC และเมทริกซ์โลหะ
สำหรับ LED กำลังสูง ระบบไฟส่องสว่างในรถยนต์ และการใช้งานด้านความร้อนที่สำคัญอื่นๆไซซี 90%เป็นทางเลือกที่เหมาะสมสำหรับการทดสอบคุณสมบัติ
ในกรณีนี้ ตัวเลือกสุดท้ายควรไม่เพียงแต่ขึ้นอยู่กับความบริสุทธิ์ที่ประกาศไว้เท่านั้น แต่ยังขึ้นอยู่กับด้วยCOA, D50, การกระจายอนุภาค, ปริมาณ SiO₂ และสิ่งสกปรกอื่นๆ, เทคโนโลยีการผลิต และผลการทดสอบของคอมโพสิตสำเร็จรูป.
หากคุณต้องการ D50 10 µm SiC ที่มีความบริสุทธิ์ที่ควบคุมไว้ที่ 88% หรือ 90% โปรดขอข้อกำหนดทางเทคนิคและ COA เฉพาะล็อต

ต้องการ SiC ที่จัดหาตามข้อกำหนดจำเพาะหรือไม่
Zhen An International Co., Limited ผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC 80-99% รวมถึง 20 mesh 88%/90%) และเฟอร์โรอัลลอยครบวงจรสำหรับอุตสาหกรรมเหล็กและเหล็กกล้า การจัดส่งแต่ละครั้งสามารถแนบมาพร้อมกับใบรับรองการวิเคราะห์ รายงานการวิเคราะห์ตะแกรง และการตรวจสอบโดยบุคคลที่สามเมื่อมีการร้องขอ ช่างเทคนิคสามารถช่วยคุณกำหนดเกรด การกระจายขนาดอนุภาค และแนวทางปฏิบัติในการเติมสารหลอมของคุณได้
อีเมล:sales@zanewmetal.com ·วอทส์แอพพ์:+86 15518824805 ·

